工作動態(tài)

近日，中國科學(xué)院院士、九三學(xué)社陜西省委原主委、陜西省僑聯(lián)主席郝躍帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得了突破性進(jìn)展。課題組成員李祥東團(tuán)隊(duì)在國際上首次證明了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓量產(chǎn)的可行性，并攻克了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。

該團(tuán)隊(duì)的研究成果以“p-GaN Gate HEMTs on 6-Inch Sapphire by CMOS-Compatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”為題，發(fā)表在高水平行業(yè)期刊IEEE Electron Device Letters上，并入選封面highlight論文。研究中，團(tuán)隊(duì)所在西電廣州研究院與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產(chǎn)技術(shù)。成功開發(fā)出的6英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN HEMTs晶圓，具有超過2V的閾值電壓和高達(dá)3000V的耐壓能力，展示了其在中高壓電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景。

另一項(xiàng)研究成果“Report of GaN HEMTs on 8-in Sapphire”則發(fā)表在國際頂級期刊IEEE Transactions on Electron Devices上，并獲得了國際著名半導(dǎo)體行業(yè)雜志Semiconductor Today的專題報道。該研究不僅證明了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓量產(chǎn)的可行性，還打破了傳統(tǒng)GaN技術(shù)難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，有望推動≥1200V中高壓氮化鎵電力電子技術(shù)的變革。

團(tuán)隊(duì)成員受邀在2024年第26屆集成電路制造年會暨供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會（CICD）和2024武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會上作大會報告和特邀報告，相關(guān)研究成果得到了與會同行的高度關(guān)注。未來，隨著這些技術(shù)的進(jìn)一步落地和應(yīng)用，有望在廣州研究院等機(jī)構(gòu)的推動下，為我國電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。